Челушкина Татьяна Алексеевна

Челушкина Татьяна Алексеевна

Должность:

Старший преподаватель

Ученая степень:

К.т.н.

Звание:

Кафедра:

«Теоретической и общей электротехники»

Контактная информация:

E-mail:  tatyana.cheluschkina@yandex.ru

Телефон: 89884207385

Адрес:

Общая информация:

В 2005 г. окончила дневное отделение Дагестанского государственного технического университета по специальности «Сервис». В 2005-2009 гг. обучалась в заочной аспирантуре Дагестанского государственного технического университета на кафедре «Теоретической и общей электротехники». В 2012 г. защитила кандидатскую диссертацию.

С 2005 г. работаю в Дагестанском государственном техническом университете в должностях старшего лаборанта (2005-2006гг.), ассистентом (2006-2008гг.), старшего преподавателя (с 2009г. по настоящее время).

Автор более 90 научных трудов. Из них: 3 монографии и 18 патентов на изобретение РФ. Имею учебно-методические работы, в том числе учебные пособия. Имею 10 золотых и 3 серебряных медалей на различных международных конкурсах изобретений.

Являлась обладателем Гранта Президента РФ за 2014-2015 гг.

Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (повыш.квал.) №415-13

Направление: «Реализация образовательных программ на основе компьютерных средств измерений и веб-технологий»

Список основных преподаваемых дисциплин:

Электротехника

Электротехника и электроника

Электротехника и основы электроники

Наименование направления подготовки и (или) специальности:

Термоэлектрическое приборостроение

Общий стаж работы:

12 лет

Стаж работы по специальности:

12 лет

Сфера научных интересов:

Исследование полупроводниковых излучающих термоэлектрических устройств для охлаждения цифровых активных фазированных антенных решеток.

Список значимых публикаций:

1.            Челушкина Т.А. Термоэлектрическое устройство со стационарным отводом тепла в виде излучения // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ДГТУ, 2010. №18. С.21-30.

2.            Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А. Математическая модель биметаллических электродов в полупроводниковых приборах для термоэлектрического охлаждения тепловыделяющих компонентов // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ФГБОУ ВПО ДГТУ, 2012. №3. С.16-23.

3.            Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. Светотранзистор // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ФГБОУ ВПО ДГТУ, 2013. С.7-10.

4.            Исмаилов Т.А., Сулин А.Б., Челушкина Т.А. Математическое моделирование теплофизических процессов в термоэлектрических полупроводниковых устройствах с импульсным питанием // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ФГБОУ ВПО ДГТУ, 2013. №28. С.17-25.

5.            Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А., Челушкин Д.А. Интенсификация теплопереноса от кристалла интегральной схемы к теплоотводу за счет применения нанопленочного термоэлектрического теплового насоса // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ДГТУ, 2014. С. 7-15.

6.            Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А., Шкурко А.С., Магомедова П.А. Энергоэффективная пассивная антенна для кодово-импульсной модуляции за счет отражения высокочастотного сигнала // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ДГТУ, 2015. №37. С. 44-49.

7.            Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А., Магомедова П.А. Энергоэффективный теплоотвод на основе многокаскадного термоэлектрического устройства с применением диодов Ганна // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ДГТУ, 2015.  №39. С. 14-21.

8.            Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Мироненко И.Г., Челушкина Т.А. Диагностирование групп электрорадиоизделий по переходным характеристикам для обнаружения дефектов на функциональных ячейках // Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. - Махачкала: ДГТУ, 2016. №43. С. 54-62.

9.            Патент № 2405230 «Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения»

10.          Патент № 2417356 «Способ оптимизации режимов работы термоэлектрической батареи с учетом геометрических и электротеплофизических параметров при импульсном питании»

11.          Патент № 2449417 «Способ охлаждения полупроводниковых тепловыделяющих электронных компонентов через биметаллические термоэлектрические электроды»

12.          Патент № 2487436 «Светотранзистор»

13.          Патент № 2507613 «Каскадное светоизлучающее термоэлектрическое устройство»

14.          Патент № 2542887 «Энергоэффективное охлаждающее устройство»

15.          Патент № 2558217 «Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде электромагнитной энергии на основе диодов Ганна»

16.          Патент № 2562742 «Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров»

17.          Патент № 2562744 «Светотиристор»

18.          Патент № 2562746 «Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде электромагнитной энергии на основе туннельных диодов»

19.          Патент № 2565523 «Устройство охлаждения на основе наноплёночных термомодулей»

20.          Патент № 2575614 «Термоэлектрический генератор с высоким градиентом температур между спаями»

21.          Патент № 2575618, «Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхнстью теплоотвода»

22.          Патент № 2587435 «Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n- полупроводниковых ветвей»

23.          Патент № 2587534 «Экономичный световой транзистор»

24.          Патент № 2593443 «Светотранзистор с двумя излучающими переходами»

25.          Патент № 2595911 «Термоэлектрический тепловой насос с нанопленочными полупроводниковыми ветвями»