Всероссийская научно-техническая конференция «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике», посвященная памяти профессора Билала Билалова прошла в ДГТУ

Последние новости

10 августа 2026 г.

От требования НОК до учебной базы: опыт ДГТУ

10 августа 2026 г.

Учимся у лучших: ДГТУ прокачивает команду в рамках «Профессионалитета»

10 августа 2026 г.

Именные стипендии Фонда Гаджи Махачева на 2026/2027 учебный год

05 августа 2026 г.

Помощь делом: студенты ДГТУ завершили гуманитарную миссию в Донецкой Народной Республике

05 августа 2026 г.

ДГТУ строит будущее!

05 августа 2026 г.

Технологический суверенитет начинается здесь: ДГТУ укрепляет кадровый потенциал республики

Вторник, 18 ноября 2025

Всероссийская научно-техническая конференция «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике», посвященная памяти профессора Билала Билалова прошла в ДГТУ

В рамках мероприятий, проводимых под эгидой «2022-2033: 10-летие науки и технологий в России», в Дагестанском государственном техническом университете прошла III Всероссийская научно-техническая конференция «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике», посвященная памяти д.ф.-м.н., профессора Билалова Билала Аруговича.
Организатором мероприятия выступил факультет радиоэлектроники и биотехнических систем. Конференция прошла в очно-дистанционном формате, что обеспечило участие широкой аудитории – как очных делегаций, так и дистанционных участников из крупнейших научных центров различных субъектов Российской Федерации и более 25 образовательных учреждений со всей страны. 
Мероприятие стало ключевой площадкой для презентации результатов исследований, обмена опытом и идеями ведущих ученых, аспирантов, магистрантов и студентов вузов России в динамично развивающейся области полупроводниковых материалов.
Особый статус мероприятия подчеркнул д.т.н., профессор Виктор Александрович Быков – заместитель Генерального директора группы компаний «Техностек холдинг», Президент Нанотехнологического общества России.
Приветственным словом открыл встречу проректор по научной и инновационной деятельности Ширали Юсуфов. Он ознакомил участников с задачами и перспективами конференции: «Конференция, которая начинает сегодня свою работу – значимое событие, объединяющее ведущих ученых и молодых исследователей. Она является площадкой для диалога, обмена опытом и представления новых научных результатов. Желаю всем участникам плодотворной работы, ярких научных дискуссий и новых идей, которые будут способствовать развитию отечественной науки. Надеюсь, что результаты вашей работы найдут применение в передовых технологиях будущего!» 
Далее к участникам обратились: главный научный сотрудник Института Физики Дагестанского федерального исследовательского центра РАН, д.ф.-м.н., профессор Сулейман Нурул-исланович Каллаев; д.х.м., профессор, заведующий кафедрой неорганической и физической химии Кабардино-Балкарского государственного университета им. Х.М. Бербекова Хасби Билялович Кушхов; д.ф.-м.н., профессор, руководитель отделения твердотельной электроники Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН Александр Александрович Лебедев; Президент Приднестровского государственного университета им. Т.Г. Шевченко, д.ф.-м.н., профессор Степан Иорданович Берил. Все они отметили фундаментальный вклад Билала Аруговича Билалова в развитие физики полупроводников, подчеркнув, что он являлся блестящим ученым и человеком исключительной порядочности.
С докладом «Сканирующая зондовая микроскопия сегодня – от микро- и наноэлектроники до молекулярной биологии и медицины» выступил Быков Виктор Александрович, изложив современные возможности сканирующих зондовых микроскопов для исследования свойств и метрологического контроля поверхностей и наноструктур, в том числе, изделий микро и наноэлектроники и наноструктур, для диагностики и изучения свойств живых клеток и вирусов, для медицинской диагностики.
Теме биполярного механизма высокотемпературной сверхпроводимости Tc ~ 300 K в многослойных периодических структурах на основе «сэндвичей Гинзбурга» FeSe/SrTiO₃ был посвящен доклад Степана Иордановича Берила.
Завершилось пленарное заседание докладом «Оптические свойства халькоперита в пленочной форме» к.ф.-м.н., старшего научного сотрудника Института физики Дагестанского федерального исследовательского центра РАН, Тимура Мажлумовича Гаджиева. 
Одним из главных преимуществ конференции является привлечение для участия в её работе молодых исследователей, аспирантов, магистрантов и студентов, которые явились свидетелями не только научных докладов высокого уровня, сделанных известными учеными, но и стали участниками плодотворных дискуссий по актуальным проблемам физики полупроводников. 
Участники мероприятия отметили высокий уровень организации конференции, работы заседаний секций, важность организации этого масштабного события и выразили готовность принять участие в работе следующей конференции, чтобы поделиться с коллегами результатами своих научных исследований.
Со своей стороны, организаторы мероприятия поблагодарили участников за актуальные доклады, пожелали достижения высоких научных результатов и представления их на следующей IV Всероссийской научно-технической конференции «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике». 

Вам могут быть интересны

10 августа 2026 г.

От требования НОК до учебной базы: опыт ДГТУ

10 августа 2026 г.

Учимся у лучших: ДГТУ прокачивает команду в рамках «Профессионалитета»

10 августа 2026 г.

Именные стипендии Фонда Гаджи Махачева на 2026/2027 учебный год

05 августа 2026 г.

Помощь делом: студенты ДГТУ завершили гуманитарную миссию в Донецкой Народной Республике

05 августа 2026 г.

ДГТУ строит будущее!

05 августа 2026 г.

Технологический суверенитет начинается здесь: ДГТУ укрепляет кадровый потенциал республики

05 августа 2026 г.

Высшая инженерная лига: итоги участия ДГТУ в конкурсе Фонда содействия инноваций

05 августа 2026 г.

Минобрнауки РФ | ДГТУ | «Территория смыслов»: проектируем будущее студенчества

29 июля 2026 г.

ТОП-резерв ФСИ: стикер, которому не нужны батарейки

29 июля 2026 г.

ТОП-резерв ФСИ: конденсаторы нового поколения от студентки ДГТУ