Пятница, 30 октября 2015 г.
В ДГТУ состоялся семинар, посвященный свойствам широкозонных полупроводниковых материалов
В ДГТУ состоялся семинар, посвященный свойствам широкозонных полупроводниковых материалов
В ДГТУ состоялся семинар, посвященный свойствам широкозонных полупроводниковых материалов
В ДГТУ состоялся семинар, посвященный свойствам широкозонных полупроводниковых материалов
21 октября на базе  НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» в ДГТУ прошел научный  семинар «Исследование свойств широкозонных полупроводниковых материалов». В семинаре приняли участие преподаватели, студенты и аспиранты кафедры микроэлектроники, а также представители лаборатории физики полупроводников ДНЦ РАН. Открытие семинара началось с выступления доктора физико-математических наук, профессора, заведующего кафедрой микроэлектроники ФГБОУ ВО «ДГТУ» Билала Билалова Билала. С докладами на семинаре выступили: аспиранты кафедры микроэлектроники  ДГТУ А. Ахмедов  «Металлические контакты к карбиду кремния» и Р. Баширов «Получение нанопористого кремния для выращивания тонких монокристаллических пленок нитрида алюминия». С большим интересом и вниманием встретили студенты выступление инженер-исследователя лаборатории физики полупроводников Дагестанского научного центра Российской академии наук  А. Велиханова, представившего собравшимся доклад  «О закономерностях изменения физико-механических свойств монокристаллов Si, Ge и сплава Zn-Al-Cu-Mg в зависимости от различных способов и режимов деформирования». Все выступления сопровождались наглядными презентациями с необходимыми пояснениями, что позволило студентам довольно глубоко изучить представленный материал. После выступлений докладчиков состоялась дискуссия, посвященная обсуждению наиболее важных аспектов озвученных исследовательских работ.