Суббота, 27 июля 2013 г.
Высокая оценка научного вклада
Президент Дагестана Р.Г.Абдулатипов вручил Государственную премию РД в области техники доценту ДГТУ А.Р.Шахмаевой за научную работу «Разработка технологии изготовления и создание транзисторных структур для силовой электроники».
Высокая оценка научного вклада
Высокая оценка научного вклада
Высокая оценка научного вклада
Торжественная церемония награждения Лауреатов Государственной премии состоялась сразу по открытию республиканского «Дома Дружбы», который отныне станет еще одним символом единства и вековой дружбы многонационального российского народа.   «Люди, которых мы сегодня награждаем – на самом деле выдающиеся люди, достигшие огромных успехов в своем творчестве, художественном отображении самых лучших проявлений дагестанской жизни, самых перспективных направлений развития Дагестана. Для нас это очень важно. Высокие награды являются подлинным признанием ваших заслуг перед республикой и страной», - отметил Президент РД Р.Г.Абдулатипов в своем выступлении перед участниками торжественного мероприятия. От имени всего дагестанского народа Глава республики поздравил лауреатов с наградами и пожелал им дальнейших творческих успехов. Переходя к вручению Диплома Лауреата и медали кандидату технических наук, доценту Дагестанского государственного технического университета А.Р.Шахмаевой, Президент РД сказал: «Особую роль в жизни дагестанского общества играет семья, традиции. Мы пытаемся возродить многие созидательные семейные традиции, думаю, мы идем правильным путем. Впервые Государственной премии Республики Дагестан в области техники удостаивается женщина - горянка, доцент Дагестанского  государственного технического университета. За свои изобретения Айшат Расуловна получила более 30 патентов. А сегодня - Государственную премию за цикл работ «Разработка технологии изготовления и создание транзисторных структур для силовой электроники». Отметим, что работа А.Р.Шахмаевой, выполненная на кафедре  теоретической и общей электротехники, посвящена  исследованию  и разработке  конструктивных  и технологических решений создания биполярных со статической индукцией транзисторов (БСИТ), применяемых в силовой электронике,  которые  обладают более надежными параметрами по сравнению с отечественными и зарубежными аналогами.  Ею предложена новая технология формирования структуры  БСИТ-транзистора с самосовмещенным затвором, которая экономически привлекательна, так как позволяет сокращение ряда технологических циклов и обеспечивает получение надежных эксплуатационных характеристик. Применяют такие транзисторы в народном хозяйстве, в частности, в телевизионных устройствах нового поколения, электроэнергетических системах, пусковой аппаратуре, в автомобилестроении и др.  Полученные результаты  исследования  нашли практическое применение на предприятиях полупроводникового производства, занимающихся производством транзисторных структур: «ФЗМТ» (г. Фрязино), ОАО «ЭПЛ» (г.Москва) и др. Внедрение научных результатов в производство   существенно увеличило процент выхода годных выпускаемых изделий.  Завершая церемонию награждения, Глава Дагестана подчеркнул:  «Люди, которых мы сегодня наградили, - это люди творческие, неравнодушные, которые каждый в своей сфере достигают качественно нового уровня. То, что всегда было свойственно дагестанцам, то, в чем сегодня мы все нуждаемся. Все эти люди – профессионалы очень высокого уровня. И самое главное, эти люди очень культурные. Раз есть такие люди в республике, значит, те преобразования, которые мы сегодня осуществляем в Дагестане, будут иметь успех. А для этого надо ежедневно творчески работать. Другого выхода у нас нет. У нас талантливый народ, прекрасное прошлое и великое будущее».