В рамках мероприятий, проводимых под эгидой «Международный год фундаментальной науки для устойчивого развития», «2022-2033: 10-летие науки и  технологий в России», «Всероссийский фестиваль науки NAUKA О+» и «Год образования в Республике Дагестан 2022», а также мероприятий, приуроченных к 50-летнему юбилею ДГТУ, как регионального, так и всероссийского уровня, 27-28 октября в Дагестанском государственном техническом университете прошла II Всероссийская научно-техническая конференция «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике» (памяти д.ф.-м.н., профессора Б.А. Аруговича).

Организатор конференции – факультет радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ДГТУ.  В конференции, которая проводилась в очно-дистанционном формате, приняли участие представители крупнейших научных центров различных субъектов Российской Федерации и более 20 вузов России, такие как : Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург), Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» (г. Москва), Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени Ульянова (Ленина) (г. Санкт-Петербург), НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха, ООО «НТ-МДТ Спектрум Инструментс» г. Москва), «Национальный исследовательский университет ИТМО» (г.Санкт-Петербург), Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х.М. Бербекова (г.Нальчик), Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н.П. Огарева (г. Саранск), Приднестровский государственный университет имени Т.Г. Шевченко (г.Тирасполь), Северо-Кавказская государственная академия (г.Черкесск), Чеченский государственный университет (г.Грозный), Грозненский государственный нефтяной технический университет, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (г. Москва), Пензенский государственный университет (г.Пенза), Воронежский государственный технический университет и другие вузы России.

Почетным гостем конференции стал президент Нанотехнологического общества России, основатель ООО «НТ-МДТ Спектрум Инструментс», д.т.н., профессор Быков Виктор Александрович.

С приветственным словом к участникам конференции обратился проректор по научной и инновационной деятельности ДГТУ, к.т.н., доцент Гамид Ирзаев. Отметив, что именно микро- и наноэлектроника на сегодняшний день охватывают практически все направления развития и сферы жизнедеятельности человека от разработок полупроводниковых транзисторов и лазеров, фотодетекторов, солнечных элементов, различных сенсоров и вплоть до  авиационных, космических и оборонных приложений, им было подчеркнуто, что ключевой задачей конференции является укрепление междисциплинарных связей в научном сообществе, активное вовлечение в научный процесс магистрантов, аспирантов, содействие интеграции науки и промышленности по созданию наукоемких полупроводниковых материалов для микро- и наноэлектроники.

Первым с докладом, посвященным современным возможностям сканирующей зондовой микроскопии: от изучения структур микро и наноэлектроники до медицинской диагностики, выступил д.т.н., профессор Виктор Быков. В своем выступлении он рассказал о преимуществах этой уникальной по своим возможностям группы приборов, позволяющих достигать увеличения достаточного, чтобы рассмотреть отдельные молекулы и атомы, при этом имеется возможность изучать объекты, не разрушая их. Виктор Александрович Быков также уделил особое внимание развитию внутреннего и экспортного потенциала российской микроэлектроники. «Как показала текущая ситуация, микроэлектроника – одно из самых востребованных и перспективных направлений ближайших лет. Вызовы нынешнего времени диктуют сделать рывок в развитии полупроводниковой микро- и наноэлектроники и поднять её на новый уровень технологических возможностей. Одна из важнейших задач − создание собственной технологической зоны и развитие ее всем научным сообществом России», - отметил он.

Затем, подключившись онлайн, с докладом на тему «Графен на SiC: получение, исследование, перспективы практического применения» выступил руководитель Отделения твердотельной электроники Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, д.ф.-м.н., профессор Александр Александрович Лебедев (г. Санкт-Петербург). Докладчик рассказал о технологии роста графена и возможности выращивания графена на изолирующих подложках карбида кремния, исследованиях полученных плёнок, некоторых приборных применениях графена.

Об одной возможности обобщения метода вычисления статистической суммы модели Изинга для простой квадратной решетки на простую кубическую решетку говорил член-корреспондент РАЕ, профессор кафедры общеинженерных и естественнонаучных дисциплин ФБГОУ ВО «Северо-Кавказская государственная академия» г.Черкесск, д.ф.-м.н. Хиса Шамилович Борлаков. Им было отмечено, что выяснен геометрический смысл множителя Каца-Уорда, используемого в комбинаторно-геометрическом методе вычисления статистической суммы двумерной модели Изинга. Показано, что этот множитель связан со спинорным представлением группы локальных поворотов сопровождающего репера кривой на плоскости. Приведено обобщение множителя Каца -Уорда на трехмерную модель Изинга.

Научный сотрудник Института физики Дагестанского федерального исследовательского центр РАН, к.ф.-м.н. Тимур Гаджиев в своем выступлении подробно остановился на технологии получения, особенностях структуры пленок Cu-Ga и возможностях их применения.

Завершилось пленарное заседание докладом, подготовленным научной группой под руководством декана факультета дополнительного образования и профессионального обучения  ДГТУ, к.т.н., доцента Шахмаевой Айшат Расуловны. Доклад представила аспирантка 4-го обучения Казалиева Эльмира на тему: «Методы сборки кристалла с применением оловянно-свинцового припоя пос-5 на автоматизированной установке».

 Проведение конференции следует признать очень актуальным и своевременным. В последнее время отмечается расширение сферы исследований новых, перспективных материалов для микроэлектроники следующего поколения, а также развитие таких направлений, как фотонные кристаллы, которых ранее не было в микроэлектронике.

Большим достоинством конференции явилось привлечение для участия в её работе молодых исследователей, аспирантов и магистров. Пленарное и секционное заседания посетили десятки студентов, которые явились свидетелями не только научных докладов высокого уровня, сделанных известными учеными и специалистами, но и стали участниками плодотворных дискуссий по актуальным проблемам физики полупроводников. Из сделанных докладов и их обсуждения были определены перспективы и направления развития как теоретических исследований новых полупроводниковых материалов, так и практические задачи разработки и проектирования инновационных изделий экстремальной электроники.

Наиболее интересные устные секционные доклады рассмотрены ниже.

Онлайн- доклад  Виталия Исаковича Чукита «Распределение потенциала на поверхности позиционно-чувствительного фотоприемника на основе слоев CdSe» (В.И. Чукита, А.В. Воронов, А.В. Винковский, Н.В. Косюк) (Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, г. Тирасполь) был посвящен разработке физической модели 7-контактного позиционно-чувствительного фотоприёмника изучению экспериментальных потенциальных диаграмм чувствительности. В докладе было показано преимущество 7-контактного перед 5-контактным ПЧФ.

С Приднестровского государственного университета им. Т.Г. Шевченко (Приднестровская Молдавская республика, г.Тирасполь) был представлен еще один доклад авторов Ю.А. Муратова, Т.И. Гоглидзе, И.В. Дементьев, В.Г. Суринов «Микроволновый синтез фотолюминесцентных композитов на основе соединений кадмия»,  докладчик – Муратова Юлия Алексеевна. В докладе были представлены результаты исследования синтеза композита «карбонат кадмия: гидроксид кадмия». Полученные материалы могут выступать в качестве прекурсоров для дальнейшего синтеза с применением, например, селено- и серосодержащих лигандов.

Два доклада представил к.т.н., научный сотрудник Института физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН Гусейнов Гасан Гусейнович: «О точности измерения температуры в устройствах с использованием термопреобразователей различных типов и форм» и «Устройство для измерения теплопроводности, содержащее охранную стенку, изготовленное из материалов с высокими термо-эдс».

Следующий онлайн-доклад "Самосогласованное решение уравнений шредингера и пуассона в квантоворазмерной гетероструктуре 2-го типа CdS/ZnSe" был представлен группой ученных из НИЯУ «МИФИ», (г.Москва) и Физического института им. П.Н. Лебедева РАН (г.Москва) (Юнусова, В.И. Козловский, М.Р. Бутаев, Я.К. Скасырский). Докладчик – магистр Юнусова Наида Рабадановна. В ее докладе были представлены результаты моделирования наноразмерной гетероструктуры 2-го типа CdS/ZnSe при различных уровнях возбуждения и при низкой температуре (Т≈10 К). Проведено сравнение расчетных спектров линий усиления с линиями люминесценции, выращенной методом MOCVD гетероструктуры с аналогичными толщинами слоев квантовой ямы.

 С Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ»  были представлены два онлайн доклада «Синтез высокочистого монодисперсного порошка карбида кремния для выращивания слитков методом ЛЭТИ» авторов: Авров Д.Д., Быков Ю.О., Лебедев А.О., Лучинин В.В., Шаренкова Н.В., Висицкий Д.В. и «Разработка автономного научно-технологического центра по производству монокристаллических пластин карбида кремния большого диаметра» авторов Авров Д.Д., Быков Ю.О., Дёмин Ю.А., Лебедев А.О., Лучинин В.В. Данные доклады вызвали большой интерес у группы исследователей с Дагестанского государственного университета и Дагестанского государственного технического университета, которые не один год занимаются подобной тематикой.

Получению керамики на основе карбида кремния методом плазменно-искрового спекания и изучению структурных свойств был посвящен доклад Кардашовой Г.Д. (Дагестанский государственный технический университет, г. Махачкала).  Предложен метод SPS, как инновационное решение для спекания керамики на основе карбида кремния. Результаты работы имеют высокое практическое значение.

Студенты факультета радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий представили доклады, подготовленные научной группой под руководством к.ф.-м.н., доцента Темирова А.Т.: «Акустические свойства пьезопреобразователей на основе пленок  оксида цинка», «Получение гетероэпитаксиальных пленок ZnO» (Темиров А.Т., Темиров Т.М., Кудиев А.А.).

Таким образом, все доклады, сделанные в рамках работы секционного заседания, отличались высоким научным уровнем, затрагивали вопросы теории и практического применения новых полупроводниковых материалов. Доклады вызывали оживленные дискуссии с участием как очных, так и онлайн участников.

II Всероссийская научно-техническая конференция «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ В СОВРЕМЕННОЙ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ» внесла свой весомый вклад в информационное поле, способствующее переходу микроэлектроники на новый уровень с использованием перспективных материалов, квантовых эффектов и нанотехнологий.

По окончании конференции в адрес организаторов поступили слова благодарности от участников конференции. Так президент нанотехнологического общества России, д.т.н., Виктор Быков в своей речи на закрытии конференции выразил признательность руководству ДГТУ и организаторам конференции за организационную поддержку в проведении конференции. «Благодаря гибридной форме проведения и удачному сочетанию различных секционных направлений конференции данное мероприятие зарекомендовало себя, как высокомасштабная площадка с широкой географией участников для непосредственного общения и обмена мнениями по прорывным, уникальным технологиям и их практическому применению», – отметил  Виктор Быков.

Затем попросил слово доцент ДГУ, к.т.н. Шабанов Ш.Ш. Он выразил слова благодарности руководству ДГТУ за организацию конференции. «Проведение такого рода мероприятий учит молодежь чтить старшее поколение и показывает пример, каких высот можно достичь, занимаясь научной деятельностью», - отметил Шабанов Ш.Ш.

Слова благодарности в адрес конференции поступили также от Борлакова Хисы Шамиловича, д.ф.-м.н., профессора, члена-корреспондента РАЕ (Северо-Кавказская государственная академия» г.Черкесск): «Я проявил посильные для меня действия в деле участия в мероприятии, посвященном памяти моего коллеги и друга Билала Аруговича». Была подчеркнута практическая значимость и научность обсуждаемых проблем.  

На протяжении всей работы конференции, а также во время церемонии закрытия все участники отмечали высокий уровень организаторской подготовки и работы пленарных и секционных заседаний в адрес модератора, важность организации этого масштабного события и выражали готовность принять участие в работе следующей конференции, чтобы поделиться с коллегами результатами работы за 2 года.

Со своей стороны организаторы конференции поблагодарили участников за интересные доклады, пожелали достижения высоких научных результатов и представления их на следующей III  Всероссийской научно-технической конференции «Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике» в 2024 году.