Среда, 24 сентября 2014 г.
Семинар по микроэлектронике состоялся на ФРТиМТ
Семинар по микроэлектронике состоялся на ФРТиМТ
Семинар по микроэлектронике состоялся на ФРТиМТ
23 сентября на факультете радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий ДГТУ прошел семинар для молодых ученых, занимающихся изучением полупроводниковых материалов. Перед собравшимися студентами и аспирантами ДГТУ, а также магистрами ДГУ, работающими в данном научном направлении, выступили  профессор кафедры микроэлектроники Билалов Б.А., ст. преподаватель кафедры физики Гусейнов М.К., аспирант кафедры микроэлектроники ДГТУ Ахмедов А.С., магистрант кафедры экспериментальной физики ДГУ Билалов А.Б., а также студенты ФРТиМТ Алиханов Ш. и Амаханов И. Все прозвучавшие доклады отличались научной новизной представленных исследований в области получения высокофоточувствительных материалов  на основе соединений AIIBVI., разработкам технологии формирования керамических  материалов нового поколения на основе карбида кремния и нитрида алюминия, технологии эпитаксии пленок нитрида алюминия  на  сапфире ионно-плазменным методом, с использованием   буферных переходных слоев нитрида алюминия, а также  выращиванию твердого раствора карбида кремния и нитридом алюминия методом магнетронного распыления и сопровождались содержательными презентациями. После выступлений участников семинара между присутствующими  преподавателями, аспирантами, магистрантами и студентами состоялся оживленный  обмен мнениями.