Вторник, 10 июня 2014 г.
Разработки ДГТУ завоевали серебряную медаль Международной выставки в Сеуле и спецприз Инвестиционной Ассоциации Тайваня
С 15 по 17 мая в г.Сеул (Республика Корея) проходила 7-я Международная выставка-форум женщин - изобретателей «KIWIE - 2014», на которой изобретения ученых ДГТУ удостоены серебряной медали и спецприза Инвестиционной Ассоциации Тайваня.
Разработки ДГТУ завоевали серебряную медаль Международной выставки в Сеуле и спецприз Инвестиционной Ассоциации Тайваня
Разработки ДГТУ завоевали серебряную медаль Международной выставки в Сеуле и спецприз Инвестиционной Ассоциации Тайваня
Мероприятие проводилось Корейским агентством по интеллектуальной собственности (KIPO) при поддержке Всемирной организации по интеллектуальной собственности (WIPO) и Всемирной ассоциации женщин- изобретателей и предпринимателей (WWIEA). В составе российской экспозиции впервые принял участие в этом мероприятии Дагестанский государственный технический университет. Коллектив ученых под руководством Исмаилова Т.А. представил на выставку 2 инновационные разработки: «Термоэлектрическое устройство для лечения кисти» и «Светотранзистор». Термоэлектрическое устройство для лечения кисти предназначено для температурного воздействия при лечении гнойно-воспалительных и послетравматических заболеваний кисти. Устройство содержит корпус с емкостью для лечебного раствора, подставку под кисть пациента в форме «грибка» и пять металлических стаканов, расположенных симметрично относительно оси симметрии корпуса, к внешней поверхности каждого из которых присоединены термоэлектрические модули для обеспечения теплового контакта. Конструкция отличается простотой, надежностью, удобством в использовании, позволяет повысить эффективность лечебного воздействия за счет сочетания рефлекторной и тепловой процедур.  В светотранзисторе, выполненном  в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой,  переход, на котором электроны из p зоны переходят в n зону, сформирован в виде светоизлучающего. Часть тепловой энергии превращается в излучение, что позволяет уменьшить нагрев транзистора. В техническом плане внедрение этого  устройства позволит исключить выход из строя интегральных схем в результате тепловых пробоев. Кроме того, улучшение тепловых режимов за счет охлаждения позволяет на 1-2 порядка повысить степень интеграции полупроводниковых компонентов и вплотную приблизиться к нанотехнологическому  уровню, что позволит увеличить как быстродействие интегральных микросхем, так и расширить функциональные возможности  и объемы  обрабатываемой информации. Обе разработки защищены патентами Российской Федерации и готовы к внедрению в производство. Разработки  ученых ДГТУ получили высокое признание международного жюри и удостоены серебряной медали выставки-форума женщин – изобретателей и спецприза Инвестиционной Ассоциации Тайваня.